- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliques; revêtement de matériaux avec des matériaux métalliques; traitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitution; revêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
Détention brevets de la classe C23C 16/505
Brevets de cette classe: 1018
Historique des publications depuis 10 ans
65
|
67
|
81
|
108
|
101
|
112
|
101
|
145
|
106
|
35
|
2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Applied Materials, Inc. | 16587 |
272 |
Lam Research Corporation | 4775 |
203 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
92 |
ASM IP Holding B.V. | 1715 |
33 |
Novellus Systems, Inc. | 559 |
20 |
Nissin Electric Co., Ltd. | 213 |
20 |
Sio2 Medical Products, Inc. | 199 |
19 |
Kokusai Electric Corporation | 1791 |
17 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
16 |
Jiangsu Favored Nanotechnology Co., LTD | 145 |
10 |
Jusung Engineering Co., Ltd. | 359 |
9 |
ULVAC, Inc. | 1448 |
9 |
Quantum Elements Development, Inc. | 18 |
9 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
8 |
Versum Materials US, LLC | 591 |
8 |
Hitachi High-Tech Corporation | 4424 |
7 |
Konica Minolta Holdings, Inc. | 1086 |
6 |
EMD Corporation | 26 |
6 |
Samsung Display Co., Ltd. | 30585 |
5 |
Dyson Technology Limited | 3124 |
5 |
Autres propriétaires | 244 |